SI4599DY-T1-GE3
رقم القطعة:
SI4599DY-T1-GE3
الصانع:
Electro-Films (EFI) / Vishay
وصف:
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
70657 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
SI4599DY-T1-GE3.pdf

المقدمة

We can supply SI4599DY-T1-GE3, use the request quote form to request SI4599DY-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4599DY-T1-GE3.The price and lead time for SI4599DY-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4599DY-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:35.5 mOhm @ 5A, 10V
السلطة - ماكس:3W, 3.1W
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:SI4599DY-T1-GE3CT
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:640pF @ 20V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20nC @ 10V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف تفصيلي:Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 5.8A 3W, 3.1W Surface Mount 8-SO
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6.8A, 5.8A
رقم جزء القاعدة:SI4599
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات