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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT85GR120B2
APT85GR120B2
APT85GR120B2
Modèle de produit:
APT85GR120B2
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 170A 962W TO247
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
51638 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APT85GR120B2.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3.2V @ 15V, 85A
Condition de test:600V, 85A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:43ns/300ns
énergie de commutation:6mJ (on), 3.8mJ (off)
Package composant fournisseur:T-MAX™
Séries:-
Puissance - Max:962W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:NPT
gate charge:660nC
Description détaillée:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX™
Courant - Collecteur pulsée (Icm):340A
Courant - Collecteur (Ic) (max):170A
Email:[email protected]

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