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APT94N65B2C3G
APT94N65B2C3G
Modèle de produit:
APT94N65B2C3G
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
58769 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APT94N65B2C3G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 5.8mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:T-MAX™ [B2]
Séries:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 47A, 10V
Dissipation de puissance (max):833W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:13940pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:580nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 94A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:94A (Tc)
Email:[email protected]

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