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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT95GR65B2
APT95GR65B2
APT95GR65B2
Modèle de produit:
APT95GR65B2
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 650V 208A 892W T-MAX
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
19718 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APT95GR65B2.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 95A
Condition de test:433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:29ns/226ns
énergie de commutation:3.12mJ (on), 2.55mJ (off)
Package composant fournisseur:T-MAX™ [B2]
Séries:-
Puissance - Max:892W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:28 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:NPT
gate charge:420nC
Description détaillée:IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX™ [B2]
Courant - Collecteur pulsée (Icm):400A
Courant - Collecteur (Ic) (max):208A
Email:[email protected]

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