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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT80SM120B
APT80SM120B
Modèle de produit:
APT80SM120B
Fabricant:
Microsemi
La description:
POWER MOSFET - SIC
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
36661 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APT80SM120B.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+25V, -10V
La technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Package composant fournisseur:TO-247
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:55 mOhm @ 40A, 20V
Dissipation de puissance (max):555W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:235nC @ 20V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):20V
Tension drain-source (Vdss):1200V
Description détaillée:N-Channel 1200V 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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