Điều kiện | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Gốc | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 46µA |
Vgs (Tối đa): | ±16V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | PG-TO252-3-313 |
Loạt: | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 12 mOhm @ 60A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 94W (Tc) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vài cái tên khác: | IPD60N10S4L12ATMA1-ND IPD60N10S4L12ATMA1TR SP000866550 |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 3170pF @ 25V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 100V |
miêu tả cụ thể: | N-Channel 100V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313 |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |