IPD60N10S4L12ATMA1
- Artikelnummer:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH TO252-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 70705 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- IPD60N10S4L12ATMA1.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 46µA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO252-3-313 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12 mOhm @ 60A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 94W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | IPD60N10S4L12ATMA1-ND IPD60N10S4L12ATMA1TR SP000866550 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3170pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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