Điều kiện | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Gốc | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1.2mA |
Vgs (Tối đa): | +18V, -8V |
Công nghệ: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-247-3 |
Loạt: | Automotive, AEC-Q101, E |
Trạng thái RoHS: | RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
Điện cực phân tán (Max): | 54W (Tc) |
Bao bì: | Tube |
Gói / Case: | TO-247-3 |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Through Hole |
Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 600V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.5nC @ 15V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 900V |
miêu tả cụ thể: | N-Channel 900V 11.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 11.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |