Condición | New & Unused, Original Packing |
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Origen | Contact us |
VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 1.2mA |
Vgs (Max): | +18V, -8V |
Tecnología: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Paquete del dispositivo: | TO-247-3 |
Serie: | Automotive, AEC-Q101, E |
Estado RoHS: | RoHS Compliant |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
La disipación de energía (máximo): | 54W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 600V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 9.5nC @ 15V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 900V |
Descripción detallada: | N-Channel 900V 11.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |