狀況 | New & Unused, Original Packing |
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來源 | Contact us |
VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 100µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
系列: | U-MOSVIII-H |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
功率耗散(最大): | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-PowerVDFN |
其他名稱: | TPN22006NH,LQ(S TPN22006NHLQ TPN22006NHLQTR |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 710pF @ 30V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 6.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
詳細說明: | N-Channel 60V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 9A (Ta) |
Email: | [email protected] |