TPN22006NH,LQ
- Modello di prodotti:
- TPN22006NH,LQ
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 67722 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- TPN22006NH,LQ.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Serie: | U-MOSVIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | TPN22006NH,LQ(S TPN22006NHLQ TPN22006NHLQTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 710pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 60V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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