狀況 | New & Unused, Original Packing |
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來源 | Contact us |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 7mA |
Vgs(最大): | +6V, -4V |
技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
供應商設備封裝: | Die |
系列: | eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 10 mOhm @ 20A, 5V |
功率耗散(最大): | - |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | Die |
其他名稱: | 917-1142-2 917-1142-2-ND 917-EPC2034ENGRTR |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 940pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 8.5nC @ 5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 5V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
詳細說明: | N-Channel 200V 31A (Ta) Surface Mount Die |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 31A (Ta) |
Email: | [email protected] |