เงื่อนไข | New & Unused, Original Packing |
---|---|
ที่มา | Contact us |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 950mV @ 1mA |
Vgs (สูงสุด): | ±10V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | LFPAK56, Power-SO8 |
ชุด: | TrenchMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 3 mOhm @ 25A, 4.5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 62.5W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
ชื่ออื่น: | 1727-3121-2 568-2344-2 568-2344-2-ND 934057828115 PH2925U T/R PH2925U115 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 6150pF @ 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 92nC @ 4.5V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 4.5V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 25V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 25V 100A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |