Condição | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Origem | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 1mA |
Vgs (Max): | ±10V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | LFPAK56, Power-SO8 |
Série: | TrenchMOS™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3 mOhm @ 25A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max): | 62.5W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
Outros nomes: | 1727-3121-2 568-2344-2 568-2344-2-ND 934057828115 PH2925U T/R PH2925U115 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6150pF @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 92nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 25V |
Descrição detalhada: | N-Channel 25V 100A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |