ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > วงจรรวม > PMIC - ไดรเวอร์ของ Gate > IXZ631DF18N50
IXZ631DF18N50
IXZ631DF18N50
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXZ631DF18N50
ผู้ผลิต:
IXYS RF
ลักษณะ:
500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
24012 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
IXZ631DF18N50.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply IXZ631DF18N50, use the request quote form to request IXZ631DF18N50 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXZ631DF18N50.The price and lead time for IXZ631DF18N50 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXZ631DF18N50.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน:8 V ~ 18 V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:10-SMD
ชุด:-
เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท):3.4ns, 1.65ns
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:10-SMD, Flat Lead
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ความถี่ขาเข้า:1
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
แรงดันลอจิก - VIL, VIH:0.8V, 3.5V
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Non-Inverting
แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน):500V
ประเภทประตู:N-Channel MOSFET
การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน:Low-Side
คำอธิบายโดยละเอียด:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 10-SMD
ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink):95A, 95A
Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด):Single
รัฐแคลิฟอร์เนีย Prop 65:Warning Information WARNING: This product can expose you to chemicals including Chemicals which is known to the State of California to cause cancer and birth defects or other reproductive harm. For more information go to www.P65warnings.ca.gov.
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXZ631DF18N50

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXZH10N50L2B Image IXZH10N50L2B IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 การสอบสวน
IXZ210N50L2 Image IXZ210N50L2 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL DE275 การสอบสวน
EL7212CSZ Intersil IC DVR HS DUAL MOSFET 8-SOIC การสอบสวน
IXZR18N50 Image IXZR18N50 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 การสอบสวน
IXZH10N50L2A Image IXZH10N50L2A IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 การสอบสวน
IXZ308N120 Image IXZ308N120 IXYS RF MOSFET N-CHANNEL DE375 การสอบสวน
IXZR18N50A-00 Image IXZR18N50A-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 การสอบสวน
IXZR08N120A-00 Image IXZR08N120A-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 การสอบสวน
IXZ318N50 Image IXZ318N50 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL การสอบสวน
IXZ316N60 Image IXZ316N60 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL DE375 การสอบสวน
UC2709N Luminary Micro / Texas Instruments IC DUAL HIGH SID FET DRIVER 8DIP การสอบสวน
IXZR08N120 Image IXZR08N120 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 การสอบสวน
IXZ2210N50L2 Image IXZ2210N50L2 IXYS RF RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 การสอบสวน
IXZR18N50B-00 Image IXZR18N50B-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 การสอบสวน
IXZ631DF12N100 Image IXZ631DF12N100 IXYS RF IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA การสอบสวน
IXZR08N120B-00 Image IXZR08N120B-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 การสอบสวน
MIC4416BM4 TR Micrel / Microchip Technology IC DRIVER MOSF LOW SIDE SOT143-4 การสอบสวน
IR2112-2 Image IR2112-2 International Rectifier (Infineon Technologies) IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16-DIP การสอบสวน
IXZR16N60 Image IXZR16N60 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 การสอบสวน
IXZ210N50L IXYS Corporation N-CHANNEL RF MOSFET 175MH การสอบสวน

ข่าว Latest