العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > الدوائر المتكاملة (إكس) > بميك - السائقين بوابة > IXZ631DF18N50
IXZ631DF18N50
IXZ631DF18N50
رقم القطعة:
IXZ631DF18N50
الصانع:
IXYS RF
وصف:
500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
24012 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
IXZ631DF18N50.pdf
تحقيق

المقدمة

We can supply IXZ631DF18N50, use the request quote form to request IXZ631DF18N50 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXZ631DF18N50.The price and lead time for IXZ631DF18N50 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXZ631DF18N50.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
الجهد - توريد:8 V ~ 18 V
تجار الأجهزة حزمة:10-SMD
سلسلة:-
ارتفاع / سقوط الوقت (طباع):3.4ns, 1.65ns
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:10-SMD, Flat Lead
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تردد الإدخال:1
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
المنطق الجهد - فيل، فيه:0.8V, 3.5V
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
نوع المدخلات:Non-Inverting
عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد):500V
نوع البوابة:N-Channel MOSFET
تكوين مدفوعة:Low-Side
وصف تفصيلي:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 10-SMD
الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة):95A, 95A
قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس):Single
كاليفورنيا الدعامة 65:Warning Information WARNING: This product can expose you to chemicals including Chemicals which is known to the State of California to cause cancer and birth defects or other reproductive harm. For more information go to www.P65warnings.ca.gov.
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXZ631DF18N50

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXZH10N50L2B Image IXZH10N50L2B IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 تحقيق
IXZ210N50L2 Image IXZ210N50L2 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL DE275 تحقيق
EL7212CSZ Intersil IC DVR HS DUAL MOSFET 8-SOIC تحقيق
IXZR18N50 Image IXZR18N50 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 تحقيق
IXZH10N50L2A Image IXZH10N50L2A IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 تحقيق
IXZ308N120 Image IXZ308N120 IXYS RF MOSFET N-CHANNEL DE375 تحقيق
IXZR18N50A-00 Image IXZR18N50A-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 تحقيق
IXZR08N120A-00 Image IXZR08N120A-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 تحقيق
IXZ318N50 Image IXZ318N50 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL تحقيق
IXZ316N60 Image IXZ316N60 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL DE375 تحقيق
UC2709N Luminary Micro / Texas Instruments IC DUAL HIGH SID FET DRIVER 8DIP تحقيق
IXZR08N120 Image IXZR08N120 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 تحقيق
IXZ2210N50L2 Image IXZ2210N50L2 IXYS RF RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 تحقيق
IXZR18N50B-00 Image IXZR18N50B-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 تحقيق
IXZ631DF12N100 Image IXZ631DF12N100 IXYS RF IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA تحقيق
IXZR08N120B-00 Image IXZR08N120B-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 تحقيق
MIC4416BM4 TR Micrel / Microchip Technology IC DRIVER MOSF LOW SIDE SOT143-4 تحقيق
IR2112-2 Image IR2112-2 International Rectifier (Infineon Technologies) IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16-DIP تحقيق
IXZR16N60 Image IXZR16N60 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 تحقيق
IXZ210N50L IXYS Corporation N-CHANNEL RF MOSFET 175MH تحقيق

Latest الأخبار