IPS118N10N G
IPS118N10N G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPS118N10N G
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
8011 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
IPS118N10N G.pdf

บทนำ

We can supply IPS118N10N G, use the request quote form to request IPS118N10N G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IPS118N10N G.The price and lead time for IPS118N10N G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IPS118N10N G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 83µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO251-3
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:11.8 mOhm @ 75A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):125W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-251-3 Stub Leads, IPak
ชื่ออื่น:IPS118N10N G-ND
IPS118N10NG
SP000475890
SP000680974
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:4320pF @ 50V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:65nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 100V 75A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:75A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest