ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT22F100J
APT22F100J
APT22F100J
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT22F100J
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
44971 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
1.APT22F100J.pdf2.APT22F100J.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT22F100J, use the request quote form to request APT22F100J pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT22F100J.The price and lead time for APT22F100J depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT22F100J.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:-
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOTOP®
ชุด:POWER MOS 8™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 18A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):545W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:21 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:9835pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:305nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1000V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 1000V 23A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:23A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT22F100J

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT22F80S Image APT22F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK การสอบสวน
APT20M45BVFRG Image APT20M45BVFRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 การสอบสวน
APT20N60BC3G Image APT20N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247 การสอบสวน
APT20M38SVRG/TR Image APT20M38SVRG/TR Microsemi MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK การสอบสวน
APT24M120B2 Image APT24M120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX การสอบสวน
APT23F60B Image APT23F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 การสอบสวน
APT24M120L Image APT24M120L Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264 การสอบสวน
APT20M38SVRG Image APT20M38SVRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK การสอบสวน
APT20N60SC3G Image APT20N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK การสอบสวน
APT24F50B Image APT24F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 การสอบสวน
APT24F50S Image APT24F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK การสอบสวน
APT20M45BVRG Image APT20M45BVRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 การสอบสวน
APT20SCD65K Image APT20SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 32A TO220 การสอบสวน
APT23F60S Image APT23F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK การสอบสวน
APT22F120B2 Image APT22F120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX การสอบสวน
APT20SCD120S Image APT20SCD120S Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK การสอบสวน
APT21M100J Image APT21M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 การสอบสวน
APT20SCD120B Image APT20SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A การสอบสวน
APT22F80B Image APT22F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 22A TO-247 การสอบสวน
APT22F120L Image APT22F120L Microsemi MOSFET N-CH 1200V 23A TO264 การสอบสวน

ข่าว Latest