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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT22F100J
APT22F100J
APT22F100J
Modelo do Produto:
APT22F100J
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
44971 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.APT22F100J.pdf2.APT22F100J.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOTOP®
Série:POWER MOS 8™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:380 mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max):545W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:21 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9835pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:305nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V
Descrição detalhada:N-Channel 1000V 23A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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