2SA965-O(TE6,F,M)
2SA965-O(TE6,F,M)
รุ่นผลิตภัณฑ์:
2SA965-O(TE6,F,M)
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ:
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
79120 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
2SA965-O(TE6,F,M).pdf

บทนำ

We can supply 2SA965-O(TE6,F,M), use the request quote form to request 2SA965-O(TE6,F,M) pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 2SA965-O(TE6,F,M).The price and lead time for 2SA965-O(TE6,F,M) depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 2SA965-O(TE6,F,M).We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):120V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
ประเภททรานซิสเตอร์:PNP
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:LSTM
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:900mW
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ชื่ออื่น:2SA965-O(TE6FM)
2SA965OTE6FM
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ความถี่ - การเปลี่ยน:120MHz
คำอธิบายโดยละเอียด:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:80 @ 100mA, 5V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):100nA (ICBO)
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):800mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest