2SA965-O(TE6,F,M)
2SA965-O(TE6,F,M)
部品型番:
2SA965-O(TE6,F,M)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
79120 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
2SA965-O(TE6,F,M).pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):120V
IB、IC @ Vce飽和(最大):1V @ 50mA, 500mA
トランジスタ型式:PNP
サプライヤデバイスパッケージ:LSTM
シリーズ:-
電力 - 最大:900mW
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
他の名前:2SA965-O(TE6FM)
2SA965OTE6FM
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション:120MHz
詳細な説明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):80 @ 100mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):800mA
Email:[email protected]

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