SQJ910AEP-T1_GE3
SQJ910AEP-T1_GE3
Modelo do Produto:
SQJ910AEP-T1_GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Quantidade disponível:
26086 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SQJ910AEP-T1_GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® SO-8 Dual
Série:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7 mOhm @ 12A, 10V
Power - Max:48W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® SO-8 Dual
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1869pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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