SI3443DV
SI3443DV
Modelo do Produto:
SI3443DV
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
12191 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI3443DV.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Micro6™(TSOP-6)
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:65 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes:*SI3443DV
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1079pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.4A (Ta)
Email:[email protected]

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