SI3443DV
- 제품 모델:
- SI3443DV
- 기술:
- MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 납 함유 / RoHS 비 준수
- 사용 가능한 수량:
- 12191 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- SI3443DV.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (최대): | ±12V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | Micro6™(TSOP-6) |
| 연속: | HEXFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| 전력 소비 (최대): | 2W (Ta) |
| 포장: | Tube |
| 패키지 / 케이스: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 다른 이름들: | *SI3443DV |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1079pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
| FET 유형: | P-Channel |
| FET 특징: | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 20V |
| 상세 설명: | P-Channel 20V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 4.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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