SI3443DV
SI3443DV
Modelo do Produto:
SI3443DV
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
49044 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI3443DV.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-SSOT
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:65 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.6W (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes:SI3443DVFSCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:640pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-SSOT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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