Condição | New & Unused, Original Packing |
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Origem | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-23-3 (TO-236) |
Série: | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Outros nomes: | SI2337DS-T1-E3TR SI2337DST1E3 |
Temperatura de operação: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 33 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 500pF @ 40V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica FET: | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 6V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 80V |
Descrição detalhada: | P-Channel 80V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |