SI2343DS-T1
Modelo do Produto:
SI2343DS-T1
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
49469 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI2343DS-T1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:53 mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max):750mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:P-Channel 30V 3.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.1A (Ta)
Email:[email protected]

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