RN1110MFV,L3F
- Modelo do Produto:
- RN1110MFV,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 41742 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- RN1110MFV,L3F.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | VESM |
| Série: | - |
| Resistor - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Power - Max: | 150mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-723 |
| Outros nomes: | RN1110MFV(TL3,T) RN1110MFV(TL3T)TR RN1110MFV(TL3T)TR-ND RN1110MFV,L3F(B RN1110MFV,L3F(T RN1110MFVL3F RN1110MFVL3F-ND RN1110MFVL3FTR RN1110MFVTL3T |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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