RN1110MFV,L3F
- Modello di prodotti:
- RN1110MFV,L3F
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 41742 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- RN1110MFV,L3F.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | VESM |
| Serie: | - |
| Resistor - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-723 |
| Altri nomi: | RN1110MFV(TL3,T) RN1110MFV(TL3T)TR RN1110MFV(TL3T)TR-ND RN1110MFV,L3F(B RN1110MFV,L3F(T RN1110MFVL3F RN1110MFVL3F-ND RN1110MFVL3FTR RN1110MFVTL3T |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per RN1110MFV,L3F
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