Condição | New & Unused, Original Packing |
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Origem | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | I2PAK (TO-262) |
Série: | QFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 350 mOhm @ 3.65A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
Descrição detalhada: | N-Channel 100V 7.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |