FQI7N10LTU
FQI7N10LTU
Modelo do Produto:
FQI7N10LTU
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13026 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FQI7N10LTU.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I2PAK (TO-262)
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:350 mOhm @ 3.65A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.75W (Ta), 40W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 7.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7.3A (Tc)
Email:[email protected]

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