FDD9409L-F085
Modelo do Produto:
FDD9409L-F085
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM
Quantidade disponível:
12687 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDD9409L-F085.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252, (D-Pak)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.6 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):150W (Tj)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:FDD9409L-F085OSCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Status sem chumbo:Lead free
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3360pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:N-Channel 40V 90A (Tc) 150W (Tj) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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