FDD8896-F085
Modelo do Produto:
FDD8896-F085
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
76770 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDD8896-F085.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252AA
Série:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.7 mOhm @ 35A, 10V
Dissipação de energia (Max):80W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:FDD8896-F085CT
FDD8896_F085CT
FDD8896_F085CT-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:29 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2525pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 17A (Ta), 94A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:17A (Ta), 94A (Tc)
Email:[email protected]

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