FDD9407-F085
Modelo do Produto:
FDD9407-F085
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 100A TO252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
34798 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDD9407-F085.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-PAK (TO-252)
Série:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):227W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:FDD9407-F085DKR
FDD9407_F085DKR
FDD9407_F085DKR-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:29 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6390pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:112nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:N-Channel 40V 100A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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