DTD123TSTP
- Modelo do Produto:
- DTD123TSTP
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 76849 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- DTD123TSTP.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 40V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SPT |
| Série: | - |
| Resistor - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Power - Max: | 300mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-72 Formed Leads |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 200MHz |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 50mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Número da peça base: | DTD123 |
| Email: | [email protected] |
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