DTD123TSTP
- Modello di prodotti:
- DTD123TSTP
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 76849 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- DTD123TSTP.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 40V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SPT |
| Serie: | - |
| Resistor - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-72 Formed Leads |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 200MHz |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 50mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 500mA |
| Numero di parte base: | DTD123 |
| Email: | [email protected] |
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