DTD114GKT146
DTD114GKT146
Modelo do Produto:
DTD114GKT146
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
37761 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.DTD114GKT146.pdf2.DTD114GKT146.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SMT3
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):10 kOhms
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:DTD114GKT146-ND
DTD114GKT146TR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:200MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Número da peça base:DTD114
Email:[email protected]

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