조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.4V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지: | 8-Power33 (3x3) |
연속: | TrenchFET® Gen IV |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 7.12 mOhm @ 15A, 10V |
전력 - 최대: | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 8-PowerWDFN |
다른 이름들: | SIZ348DT-GE3 SIZ348DT-T1-GE3TR |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 32 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 820pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 18.2nC @ 10V |
FET 유형: | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징: | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
상세 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 18A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 18A (Ta), 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |