조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.4V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지: | 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
연속: | TrenchFET® Gen IV |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V |
전력 - 최대: | 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 8-PowerWDFN |
다른 이름들: | SIZ200DT-T1-GE3TR |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 28nC @ 10V, 30nC @ 10V |
FET 유형: | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징: | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
상세 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |