SI3460DV-T1-E3
SI3460DV-T1-E3
제품 모델:
SI3460DV-T1-E3
제조사:
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
73128 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
SI3460DV-T1-E3.pdf

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):450mV @ 1mA (Min)
Vgs (최대):±8V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:6-TSOP
연속:TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
전력 소비 (최대):1.1W (Ta)
포장:Original-Reel®
패키지 / 케이스:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
다른 이름들:SI3460DV-T1-E3DKR
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:20nC @ 4.5V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):1.8V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss):20V
상세 설명:N-Channel 20V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):5.1A (Ta)
Email:[email protected]

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