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R6035ENZC8
R6035ENZC8
제품 모델:
R6035ENZC8
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
30700 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
R6035ENZC8.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 1mA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-3PF
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):102 mOhm @ 18.1A, 10V
전력 소비 (최대):120W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-3P-3 Full Pack
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:17 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:2720pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:110nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):600V
상세 설명:N-Channel 600V 35A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):35A (Tc)
Email:[email protected]

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