IPD65R650CEATMA1
- 제품 모델:
- IPD65R650CEATMA1
- 기술:
- MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 73968 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- IPD65R650CEATMA1.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.5V @ 0.21mA |
| Vgs (최대): | ±20V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | PG-TO252-3 |
| 연속: | CoolMOS™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 650 mOhm @ 2.1A, 10V |
| 전력 소비 (최대): | 86W (Tc) |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 다른 이름들: | SP001295798 |
| 작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 440pF @ 100V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | Super Junction |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 650V |
| 상세 설명: | N-Channel 650V 10.1A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 10.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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