조건 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 35µA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | PG-TO252-3 |
연속: | OptiMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 53 mOhm @ 18A, 10V |
전력 소비 (최대): | 68W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
다른 이름들: | IPD530N15N3 G IPD530N15N3 G-ND IPD530N15N3 GTR-ND IPD530N15N3G IPD530N15N3GBTMA1TR SP000521720 |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 887pF @ 75V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 8V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 150V |
상세 설명: | N-Channel 150V 21A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 21A (Tc) |
Email: | [email protected] |