조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.5V @ 100µA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | PG-TO252-3 |
연속: | CoolMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
전력 소비 (최대): | 34W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
다른 이름들: | IPD50R950CE IPD50R950CEBTMA1TR IPD50R950CEINTR IPD50R950CEINTR-ND SP000992070 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 231pF @ 100V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 10.5nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | Super Junction |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 13V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 500V |
상세 설명: | N-Channel 500V 4.3A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 4.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |