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EPC2010
EPC2010
제품 모델:
EPC2010
제조사:
EPC
기술:
TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
28700 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
EPC2010.pdf
문의

소개

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조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 3mA
Vgs (최대):+6V, -4V
과학 기술:GaNFET (Gallium Nitride)
제조업체 장치 패키지:Die
연속:eGaN®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):25 mOhm @ 6A, 5V
전력 소비 (최대):-
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:Die
다른 이름들:917-1016-2
작동 온도:-40°C ~ 125°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:540pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:7.5nC @ 5V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):5V
소스 전압에 드레인 (Vdss):200V
상세 설명:N-Channel 200V 12A (Ta) Surface Mount Die
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):12A (Ta)
Email:[email protected]

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