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EPC2010
EPC2010
Artikelnummer:
EPC2010
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
28700 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
EPC2010.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Unused, Original Packing
Ursprung Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 3mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 6A, 5V
Verlustleistung (max):-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-1016-2
Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):200V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 200V 12A (Ta) Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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