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C3M0065100J
C3M0065100J
제품 모델:
C3M0065100J
제조사:
Cree Wolfspeed
기술:
MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
56960 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
C3M0065100J.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):3.5V @ 5mA
Vgs (최대):+15V, -4V
과학 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
제조업체 장치 패키지:D2PAK-7
연속:C3M™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):78 mOhm @ 20A, 15V
전력 소비 (최대):113.5W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:26 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:660pF @ 600V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:35nC @ 15V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):15V
소스 전압에 드레인 (Vdss):1000V
상세 설명:N-Channel 1000V 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):35A (Tc)
Email:[email protected]

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