C3M0065100J
- Modèle de produit:
- C3M0065100J
- Fabricant:
- Cree Wolfspeed
- La description:
- MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 56960 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- C3M0065100J.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 5mA |
| Vgs (Max): | +15V, -4V |
| La technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Package composant fournisseur: | D2PAK-7 |
| Séries: | C3M™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Dissipation de puissance (max): | 113.5W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 26 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 600V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 15V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 15V |
| Tension drain-source (Vdss): | 1000V |
| Description détaillée: | N-Channel 1000V 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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