AS4C128M8D1-6TIN
- 제품 모델:
- AS4C128M8D1-6TIN
- 기술:
- IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 58029 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- AS4C128M8D1-6TIN.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | 15ns |
| 전압 - 공급: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 과학 기술: | SDRAM - DDR |
| 제조업체 장치 패키지: | 66-TSOP II |
| 연속: | - |
| 포장: | Tray |
| 패키지 / 케이스: | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 다른 이름들: | 1450-1392 AS4C128M8D1-6TIN-ND |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 크기: | 1Gb (128M x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 메모리 형식: | DRAM |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 8 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명: | SDRAM - DDR Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II |
| 클럭 주파수: | 166MHz |
| 액세스 시간: | 700ps |
| Email: | [email protected] |
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