AS4C128M8D1-6TIN
- Modèle de produit:
- AS4C128M8D1-6TIN
- Fabricant:
- Alliance Memory, Inc.
- La description:
- IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 58029 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- AS4C128M8D1-6TIN.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 15ns |
| Tension - Alimentation: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| La technologie: | SDRAM - DDR |
| Package composant fournisseur: | 66-TSOP II |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Autres noms: | 1450-1392 AS4C128M8D1-6TIN-ND |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 1Gb (128M x 8) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SDRAM - DDR Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II |
| Fréquence d'horloge: | 166MHz |
| Temps d'accès: | 700ps |
| Email: | [email protected] |
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