状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | - |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220-3 |
シリーズ: | U-MOSIV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 42 mOhm @ 9A, 10V |
電力消費(最大): | - |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
他の名前: | TK18E10K3S1X(S TK18E10K3S1XS |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 33nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
詳細な説明: | N-Channel 100V 18A (Ta) Through Hole TO-220-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 18A (Ta) |
Email: | [email protected] |